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> 氮氣烘箱在半導體制程如何選擇?
氮氣烘箱在半導體制程如何選擇?
更新時間:2023-10-26 點擊次數:642次
每個半導體產品的制造都需要數百個工藝,整個制造過程分為八個步驟:晶圓加工-氧化-光刻-刻蝕-薄膜沉積-互連-測試-封裝。
然而在這數百個工藝中有數道需要烘烤工藝,而且每個烘烤工藝不是相同,所以需要的烘烤設備也有差異。
精密氮氣烘箱可用于一以下工藝:
RGBT烘烤,PCB板防氧化烘烤,光刻膠固化,硅片高溫退火,墨點烘烤,外延片烘烤,LED、治具烘烤等干燥或固化工藝;
潔凈氮氣烘箱一般用于
光刻膠預烘烤(軟烘),堅膜烘箱(硬烘)等工藝烘烤
高溫無氧烘箱主要用途
高溫無氧烘箱有真空無氧固化爐和熱風無塵無氧烘箱
BCB/PI/CPI/LCP/PBO等固化工藝
HMDS烘箱
用于將基底由親水性改變為疏水性,從而增強基底的粘附性,
適用于MEMS、濾波、放大、功率等器件,晶圓、玻璃、貴金屬,SiC(碳化硅)、GaN(氮化鎵)、ZnO(氧化鋅)、GaO(氧化鎵)、金剛石等第三代半導體材料。
氮氣烘箱
技術性能
無塵等級:Class 100; 選配
溫度范圍:RT+15-200/300/400/500℃;
升溫速率:8℃/min;
降溫方式:自然降溫或輔助降溫
內腔材質:SUS304/316L#鏡面不銹鋼;
外箱材質:冷軋板噴塑或不銹鋼;
真空度:可達10Pa(真空無氧烘箱、HMDS烘箱)
氧濃度:可達10ppm(無氧烘箱)
氮氣裝置:可調式浮子流量計+減壓閥
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